RJK6026DPP-E0#T2
600V,5A MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJK6026DPP-E0#T2
- 商品编号
- C3280939
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 低导通电阻
- 典型RDS(ON) = 2.0 Ω(ID = 2.5 A、VGS = 10 V、Ta = 25°C时)
- 低漏电流
- 高速开关
应用领域
- 音频放大器
- DC/DC转换器的高效开关
- 直流电机控制
- 不间断电源
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