RM2003
N和P沟道,电流:3A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM2003
- 商品编号
- C3280194
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
RM2003采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,以及用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- VDS = 20V,ID = 3A
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 当VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 55mΩ
- P沟道
- VDS = -20V,ID = -3A
- 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
- 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 100mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 无卤素
- 产品型号后缀V表示符合AEC - Q101标准,例如:RM2003V