FDT86113LZ
N沟道 耐压:100V 电流:3.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDT86113LZ
- 商品编号
- C3280065
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@3.3A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 315pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |