FDS6894A
双N沟道,电流:8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6894A
- 商品编号
- C3279916
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.676nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 146pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 288pF |
商品特性
- 8 A,20 V
- 当VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 17 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 20 mΩ
- 当VGS = 1.8 V时,RDS(ON) = 30 mΩ
- 低栅极电荷(17 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8
应用领域
- 高端直流/直流转换
- 笔记本电脑
- 服务器(注:原文Severp可能为Server拼写错误)

