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NTMD3N08LR2实物图
  • NTMD3N08LR2商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMD3N08LR2

N沟道,电流:2.3A,耐压:80V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMD3N08LR2
商品编号
C3279911
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on))245mΩ@5V
耗散功率(Pd)3.1W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)480pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)150pF

商品特性

  • 超低导通电阻,效率更高
  • \downarrow RDS(on) = 0.215 Ω,VGS = 10 V
  • \downarrow RDS(on) = 0.245 Ω,VGS = 5.0 V
  • 低反向恢复损耗
  • 内部 RG = 50 Ω
  • 规定了高温下的 IDSS 和 RDS(on) 参数
  • 规定了雪崩能量
  • 微型 SO-8 表面贴装封装,节省电路板空间
  • 提供无铅封装

应用领域

  • 集成启动发电机
  • 电子动力转向系统
  • 电子燃油喷射系统
  • 催化转化器加热器

数据手册PDF