NDS9936
双N沟道,电流:5A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9936
- 商品编号
- C3279899
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用,如DC/DC转换、磁盘驱动器电机控制以及其他需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力的电池供电电路。
商品特性
- 5A、30V。VGS = 10V时,RDS(ON) = 0.05Ω
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
- 表面贴装封装中的双MOSFET
应用领域
-DC/DC转换-磁盘驱动器电机控制-其他电池供电电路