BTS244ZE3062AATMA1
1个N沟道 耐压:55V 电流:35A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS244ZE3062AATMA1
- 商品编号
- C3279251
- 商品封装
- TO-263-5-2
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@19A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@130uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.66nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 内置快速体二极管，可用于 PFC 和谐振开关拓扑，如 ZVS 移相全桥和 LLC。
商品特性
- 市场上最新的具备集成快速体二极管的 650V 汽车级技术，具有超低 Qrr
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 经过 100% 雪崩测试
- SMD 和 THD 封装中同类最佳的 RDS(on)
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器
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