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BTS282ZE3180AATMA2
1个N沟道 耐压:49V 电流:80A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS282ZE3180AATMA2
- 商品编号
- C3279259
- 商品封装
- TO-263-7-1
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 49V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 232nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 715pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.357nF |
商品特性
- 增强型
- 逻辑电平输入
- 可进行模拟驱动
- 最高 1 MHz 的快速开关
- 具有晶闸管特性的无电位温度传感器
- 过温保护
- 雪崩额定
- 高电流钳位
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