BTS244ZE3062AATMA2
1个N沟道 耐压:55V 电流:35A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BTS244ZE3062AATMA2
- 商品编号
- C3279250
- 商品封装
- TO-263-5-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@19A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@130uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.66nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
650V CoolMOS CFD7A 内置快速体二极管，可用于 PFC 和谐振开关拓扑，如 ZVS 移相全桥和 LLC。
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 逻辑电平输入
- 可进行模拟驱动
- 最高1 MHz的快速开关
- 具有晶闸管特性的无电位温度传感器
- 过温保护
- 雪崩额定
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器
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