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IPD60R600PFD7SAUMA1

1个N沟道耐压:600V 电流:6A

描述: CoolMOS是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而量身定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和最先进的易用性水平
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPD60R600PFD7SAUMA1
商品编号: C3279034
商品封装: DPAK
包装方式: 编带
商品毛重: 0.426克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。最新的CoolMOS PFD7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、电机驱动、照明等。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性。这项技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常轻薄的设计。

商品特性

由于极低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss，损耗极低
开关损耗Eoss低，热性能出色
体二极管恢复速度快
RDS(on)范围广，封装形式多样
集成齐纳二极管

应用领域

用于高密度充电器的零电压开关（ZVS）拓扑
适配器
照明
电机驱动应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	31W
	阈值电压(Vgs(th))	4.5V@0.08mA
	栅极电荷量(Qg)	8.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	344pF@400V
	工作温度	-40℃~+150℃