HUF75309D3S
1个N沟道 耐压:55V 电流:19A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75309D3S
- 商品编号
- C3277861
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.466克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第三代功率 MOSFET 为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 DPAK 封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU、SiHFU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平最高可达 1.5 W。
商品特性
- 动态 dV/dt 额定值
- 表面贴装（IRFR014、SiHFR014）
- 直引脚（IRFU014、SiHFU014）
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合 RoHS 标准
- 无卤