FDB5645
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB5645
- 商品编号
- C3277628
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.468nF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 80 A、60 V
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.0095 Ω
- 在VGS = 6 V时,RDS(ON) = 0.011 Ω
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源极 - 漏极二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟槽技术实现极低的RDS(ON)。
- 最高结温额定值为175°C。
应用领域
- 12V汽车负载控制
- 起动机/交流发电机系统
- 电子动力转向系统
- 防抱死制动系统（ABS）
- 直流-直流转换器