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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQB8N60CFTM

600V, 6.26A, 600V N沟道 MOSFET

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB8N60CFTM
商品编号
C3277622
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.26A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)147W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.255nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)135pF

商品特性

  • 导通电阻rDS(ON) = 24 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 44 A
  • 总栅极电荷Qg(tot) = 24 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷体二极管
  • 高频下效率优化
  • 具备非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合AEC Q101标准

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF