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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQB8N60CFTM

600V, 6.26A, 600V N沟道 MOSFET

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQB8N60CFTM
商品编号
C3277622
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)6.26A
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
耗散功率(Pd)147W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.255nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)135pF

商品特性

  • 6.26A、600V,VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.5Ω
  • 低栅极电荷(典型值28nC)
  • 低Crss(典型值12pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流转换器和离线式不间断电源(UPS)
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 24V和48V系统的初级开关
  • 高压同步整流器
  • 直喷/柴油喷射系统
  • 42V汽车负载控制
  • 电子气门机构系统

数据手册PDF