FDB6021P
20V P沟道1.8V指定电源沟槽MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB6021P
- 商品编号
- C3277601
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 124pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 302pF |
商品概述
-最新先进沟槽技术-低漏源导通电阻(RDS(ON))-高电流承载能力-符合 RoHS 标准且无卤
商品特性
-最新先进沟槽技术-低漏源导通电阻(RDS(ON))-高电流承载能力-符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电