我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
预售商品
SIHB125N60EF-GE3实物图
  • SIHB125N60EF-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHB125N60EF-GE3

N沟道 耐压:600V 电流:25A

SMT扩展库PCB免费打样
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHB125N60EF-GE3
商品编号
C3277580
商品封装
D2PAK(TO-263)​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    类型N沟道
    漏源电压(Vdss)600V
    连续漏极电流(Id)25A
    功率(Pd)179W
    属性参数值
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)125mΩ@12A,10V
    阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
    栅极电荷(Qg@Vgs)47nC@10V
    输入电容(Ciss@Vds)1.533nF@100V
    工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

    优惠活动

    购买数量

    (3000个/管,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个3000个/管

    近期成交0