- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品概述
HTNFET是一款高可靠性N沟道功率场效应晶体管,专为极宽温度范围的应用而设计,如井下仪器、涡轮发动机和工业过程控制。该功率场效应晶体管采用绝缘体上硅(SOI)工艺制造,可显著降低高温下的漏电流。 高直流电流能力与低导通电阻(Rds-ON)相结合,使该元件适用于直流和开关应用。通常,在性能降额的情况下,器件可在+300°C下工作长达一年。所有器件都经过老化测试,以消除早期失效。此外,每个器件都在-55°C至+225°C的温度范围内进行测试,以确保在整个温度区间内的性能。
商品特性
- 规定工作温度范围为-55°C至+225°C
- 连续输出电流高达1A
- 典型输入电压高达60V
- 采用绝缘体上硅(SOI)工艺
- 4引脚功率焊盘封装
- 带集成散热片的8引脚陶瓷双列直插封装
- 芯片尺寸为4.699 x 2.286mm
应用领域
-井下石油、天然气和地热井-涡轮发动机控制-工业过程控制-电力转换-重型内燃机