DMT6009LJ3
1个N沟道 耐压:60V 电流:74.5A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT6009LJ3
- 商品编号
- C3276945
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 74.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83.3W；2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.925nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET具有超低的导通电阻RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，且漏源二极管的反向恢复时间极短。MiniMOS™器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。典型应用包括直流-直流转换器，以及计算机、打印机、移动电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。它们还可用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(on)，提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动，可由逻辑IC驱动
- 微型SO-8表面贴装封装，节省电路板空间
- 非常适合同步整流
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速软恢复特性
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 提供SO-8封装的安装信息
应用领域
-电源管理功能-直流-直流转换器-背光照明