DMP2101UCB9-7
双通道增强模式MOSFET,电流:-3.2A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2101UCB9-7
- 商品编号
- C3276752
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 588pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 274pF |
商品特性
- 具备最低品质因数的LD - MOS技术
- RD1D2(ON) = 63 m Ω,可将导通损耗降至最低
- Qg = 3.2 n C,实现超快速开关
- VGS(TH) = -0.74 V(典型值),具备低开启电位
- 封装尺寸为 1.5mm x 1.5mm 的CSP封装
- 高度为0.62mm,实现薄型设计
- 栅极ESD保护 <HBM 3A类>
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护