商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
EZFET 是一系列先进的功率 MOSFET，内置单片背对背齐纳二极管。这些齐纳二极管可提供静电放电（ESD）和意外瞬态保护。这些微型表面贴装 MOSFET 具有超低导通电阻 RDS(on) 和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换向模式下承受高能量，并且漏源二极管具有极短的反向恢复时间。EZFET 器件专为对电源效率要求较高的低压、高速开关应用而设计。
商品特性
- N沟道
- 增强型
- 雪崩额定
- 逻辑电平
- dv/dt额定
- 低导通电阻
- 175 °C工作温度
- 也提供TO-220 SMD封装
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、蜂窝电话和无绳电话）的电源管理
- 大容量存储产品（如磁盘驱动器和磁带驱动器）的低压电机控制