FDMA3027PZ-F130
双P沟道,电流:-3.3A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA3027PZ-F130
- 商品编号
- C3275978
- 商品封装
- MicroFET-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 87mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -3.3 A时,最大RDS(on) = 87 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -2.3 A时,最大RDS(on) = 152 mΩ
- 人体模型(HBM)ESD保护等级典型值>2 kV
- 新型MicroFET 2x2 mm封装,高度低至最大0.8 mm
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-负载开关-分立栅极驱动器