NTHS4111PT1
P沟道MOSFET,电流:-6.1A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTHS4111PT1
- 商品编号
- C3275993
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 143pF |
商品特性
- 在ChipFET封装中提供超低 RDS(on) 解决方案
- ChipFET封装的占位面积比TSOP - 6小40%
- 低外形(<1.1 mm),适用于超薄环境
- 标准逻辑电平栅极驱动
- 提供无铅封装
应用领域
-笔记本电脑负载开关-便携式设备中的电池和负载管理应用-电池充电器中的充电控制-降压和升压转换器