- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V；150V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V；3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+225℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | - |
商品概述
这款14 W非对称Doherty射频功率氮化镓(GaN)晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖3400至3600 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。
商品特性
- 高终端阻抗,实现最佳宽带性能
- 先进的高性能封装内Doherty技术
- 能够承受极高的输出电压驻波比(VSWR)和宽带工作条件
应用领域
- 蜂窝基站