2SJ210-T2B-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1.0uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 当栅源电压（VGS）为 -10V、漏源电流（IDS）为 -7.3A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 35mΩ
- 当栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏源电流（IDS）为 -5.9A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 48mΩ
- 低导通电阻（RDS(ON)）沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
应用领域
- 负载开关-直流-直流转换-电机驱动