2SJ210-T2B-A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V
- 当栅源电压（VGS）为 -10V、漏源电流（IDS）为 -7.3A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 35mΩ
- 当栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏源电流（IDS）为 -5.9A 时，导通电阻（RDS(ON)） ≤ 48mΩ
- 低导通电阻（RDS(ON)）沟槽技术。
- 低热阻。
- 快速开关速度。
- 我们声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤。
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。