- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 333A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 873W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 928nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF | |
| 栅极电压(Vgs) | 3V |
商品概述
MSCSM120HM063CAG器件是一款1200 V、333 A的全桥碳化硅(SiC)功率模块。
商品特性
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向压降(VF)具有正温度系数
- 碳化硅功率MOSFET
- 低导通电阻(RDS(on))
- 高温性能良好
- 开尔文源极便于驱动
- 低杂散电感
- M5功率连接器
- 采用氮化铝(AlN)基板,热性能更佳
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机及牵引驱动