TPIC1501ADWR
四路和六路功率MOSFET阵列,电流:3A,耐压:20V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC1501ADWR
- 商品编号
- C3275980
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
MSCSM120HM083CAG器件是一款1200 V、251 A的全桥碳化硅（SiC）功率模块。
商品特性
- 低导通电阻rDS(on):
- 典型值0.1 Ω(完整H桥)
- 典型值0.4 Ω(三个半H桥)
- 脉冲电流:
- 单通道12 A(完整H桥)
- 单通道6 A(三个半H桥)
- 匹配检测晶体管,适用于AB类线性操作
- 快速换相速度
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电动汽车电机和牵引驱动