FDP032N08B
N沟道,电流:211A,耐压:80V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP032N08B
- 商品编号
- C3275909
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 211A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 263W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.965nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.66nF |
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 50 A条件下,RDS(on) = 2.85 mΩ(典型值)
- 低品质因数RDS(on) * QG
- 低反向恢复电荷Qrr
- 软反向恢复体二极管
- 可实现同步整流的高效率
- 开关速度快
- 经过100% UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电池保护电路-电机驱动和不间断电源-可再生能源系统