MTB29N15ET4
N沟道,电流:29A,耐压:150V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTB29N15ET4
- 商品编号
- C3275951
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.22nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 630pF |
商品特性
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥接电路
- 规定高温下的 IDSS 和 VDS(on)
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路