MTD6N20E1
N沟道, 6A, 200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTD6N20E1
- 商品编号
- C3276006
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
TPIC1501A是一款单片功率阵列，由十个电隔离的N沟道增强型功率DMOS晶体管组成，其中四个配置为一个完整H桥，六个配置为三个半H桥。完整H桥的下桥臂采用集成检测FET，可实现AB类偏置。 TPIC1501A采用24引脚宽体表面贴装（DW）封装，工作壳温范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 规定雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 二极管适用于桥接电路
- 规定高温下的IDSS和VDS(on)
- 提供无铅封装*
应用领域
- 电源
- 转换器
- PWM电机控制
- 桥接电路