BSC205N10LSGATMA1

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: BSC205N10LSGATMA1
商品编号: C3275965
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

TPIC5421L是一款单片式栅极保护逻辑电平功率DMOS阵列，由四个电气隔离的N沟道增强型DMOS晶体管组成，其中两个采用共源极配置。每个晶体管均集成了大电流齐纳二极管（ZCxa和ZCxb），可在出现过应力情况时防止栅极损坏。使用100 pF电容与1.5 kΩ电阻串联的人体模型进行测试时，这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电（ESD）保护。 TPIC5421L提供20引脚宽体表面贴装（DW）封装和16引脚热增强型双列直插（NE）封装，其工作温度范围为-40°C至125°C。

商品特性

N沟道、逻辑电平
出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积(品质因数)
极低的导通电阻RDS(on)
150°C工作温度
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证
非常适合高频开关和同步整流
根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	45A
	导通电阻(RDS(on))	16.9mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	76W
	阈值电压(Vgs(th))	1.85V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	31nC
	输入电容(Ciss)	2.2nF
	反向传输电容(Crss)	17pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	270pF
	栅极电压(Vgs)	±20V