- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDY4001CZCT
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA；150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4.5V；5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 625mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 800pC；1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 100pF；60pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF；15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF；20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V；±12V |
商品概述
这款互补型N沟道和P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计,以优化VGS = 2.5 V时的rDS(ON),并规定了VGS = 1.8 V时的rDS(ON)。
商品特性
- Q1:N沟道
- VGS = 4.5 V、ID = 200 mA时,最大rDS(ON) = 5 Ω
- VGS = 2.5 V、ID = 175 mA时,最大rDS(ON) = 7 Ω
- VGS = 1.8 V、ID = 150 mA时,最大rDS(ON) = 9 Ω
- Q2:P沟道
- VGS = -4.5 V、ID = -150 mA时,最大rDS(ON) = 8 Ω
- VGS = -2.5 V、ID = -125 mA时,最大rDS(ON) = 12 Ω
- VGS = -1.8 V、ID = -100 mA时,最大rDS(ON) = 15 Ω
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电平转换
- 电源转换器电路
- 负载/电源开关,用于手机、寻呼机