FDY4001CZCT

这款互补型N沟道和P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计,以优化VGS = 2.5 V时的rDS(ON),并规定了VGS = 1.8 V时的rDS(ON)。

• Q1:N沟道
• VGS = 4.5 V、ID = 200 mA时,最大rDS(ON) = 5 Ω
• VGS = 2.5 V、ID = 175 mA时,最大rDS(ON) = 7 Ω
• VGS = 1.8 V、ID = 150 mA时,最大rDS(ON) = 9 Ω
• Q2:P沟道
• VGS = -4.5 V、ID = -150 mA时,最大rDS(ON) = 8 Ω
• VGS = -2.5 V、ID = -125 mA时,最大rDS(ON) = 12 Ω
• VGS = -1.8 V、ID = -100 mA时,最大rDS(ON) = 15 Ω
• 静电放电保护二极管
• 符合RoHS标准

• 电平转换
• 电源转换器电路
• 负载/电源开关,用于手机、寻呼机