MTB15N06VT4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用最新的制造工艺技术制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能充分利用硅材料，从而实现出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 采用新型低电压、低RDS(ON)技术,导通电阻面积积约为标准MOSFET的一半
- 比前代E-FET开关速度更快
- 规定了雪崩能量
- 规定了高温下的IDSS和 VDS(on)
- TMOS V和TMOS E-FET的静态参数相同
- 提供16 mm 13英寸/2500个单位的卷带封装,在零件编号后加T4后缀
应用领域
-电源-转换器-电力电机控制-桥接电路