MTB15N06VT4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用最新的制造工艺技术制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能充分利用硅材料，从而实现出色的性能。它们专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用而设计。这些晶体管可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 40A，100V
- RDS(on) = 0.040 Ω
- 温度补偿PSPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 175°C工作温度
应用领域
-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器