FDMC0225
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺制造,该工艺经过特别设计,可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 13.3 A时,最大rDS(on) = 8.5 m Ω
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10.6 A时,最大rDS(on) = 11.5 m Ω
- 采用高性能技术,实现极低的rDS(on)
- 引脚无铅,符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流降压转换器-笔记本电池电源管理-笔记本中的负载开关