商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款互补型N沟道和P沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，以优化VGS = 2.5 V时的rDS(ON)，并规定了VGS = 1.8 V时的rDS(ON)。
商品特性
- Q1：N沟道
- VGS = 4.5 V、ID = 200 mA时，最大rDS(ON) = 5 Ω
- VGS = 2.5 V、ID = 175 mA时，最大rDS(ON) = 7 Ω
- VGS = 1.8 V、ID = 150 mA时，最大rDS(ON) = 9 Ω
- Q2：P沟道
- VGS = -4.5 V、ID = -150 mA时，最大rDS(ON) = 8 Ω
- VGS = -2.5 V、ID = -125 mA时，最大rDS(ON) = 12 Ω
- VGS = -1.8 V、ID = -100 mA时，最大rDS(ON) = 15 Ω
- 静电放电保护二极管
- 符合RoHS标准
应用领域
-计算机-办公设备-通信设备-测试与测量设备-视听设备-家用电子电器-机床-个人电子设备-工业机器人-运输设备(汽车、火车、轮船等)-交通控制系统-防灾系统-防盗系统-安全设备-非专门用于生命支持的医疗设备