IRF9240
P沟道MOSFET,电流:-11A,耐压:-200V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF9240
- 商品编号
- C3275987
- 商品封装
- TO-204AA(TO-3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 580mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
采用LFPAK封装的逻辑电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，可用于广泛的工业、通信和家用设备。
商品特性
-重复雪崩额定值-动态dv/dt额定值-密封封装-简单的驱动要求-易于并联
应用领域
-开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路