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IPP114N03LGHKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP114N03LGHKSA1

N沟道,电流:30A,耐压:30V

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商品型号
IPP114N03LGHKSA1
商品编号
C3275931
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))11.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)38W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)14nC@10V
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)610pF

商品概述

ISL6801是一款单芯片反相自举驱动器。其浮动电平转换部分针对高端配置下的N沟道功率MOSFET控制进行了优化,可在5V控制器输出下处理高达120VDC的总线电压。该器件具有两个独立引出的输出级,可分别控制上升和下降时间。为确保静态直流运行,集成的充电路径可在驱动器关断时为自举电容充电。无控制信号输入时,上拉电阻会将输入拉低。该器件还会监测电源电压,以确保启动时无故障运行。

商品特性

  • 单自举高端驱动器
  • 自举电源最大电压:120VDC
  • 峰值输出驱动电流:200mA
  • 开关频率:100kHz
  • 低电平有效输入
  • 独立复位输入
  • 静态运行充电路径
  • 独立的高、低栅极驱动输出,可独立控制导通/关断时间
  • 电源欠压保护
  • 节省空间的SO-8封装
  • 宽工作温度范围

应用领域

  • 用于控制接地负载的高端配置N沟道MOSFET驱动器-汽车应用中的螺线管、电机、继电器和灯驱动器

数据手册PDF