2SJ215-E
P沟道,电流:-35A,耐压:-60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SJ215-E
- 商品编号
- C3275929
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 低驱动电流
- 4 V 栅极驱动器件
- 可由 5 V 电源驱动
应用领域
- 高速功率开关