IPB048N06LG
N沟道,电流:100A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB048N06LG
- 商品编号
- C3275915
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@270uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2nF |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 针对目标应用符合JEDEC标准
- N沟道、逻辑电平
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 雪崩额定
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤