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场效应管(MOSFET)
NX2020P1115
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此图展示了型号为 NX2020P1115 的引脚布局
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对比
NX2020P1115
单P沟道,电流:-5A,耐压:30V
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品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
NX2020P1115
商品编号
C3275913
包装方式
编带
商品毛重
0.274克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
58mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
1.7W
阈值电压(Vgs(th))
900mV@250uA
属性
参数值
栅极电荷量(Qg)
21nC@4.5V
输入电容(Ciss)
1.365nF
反向传输电容(Crss)
90pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
P沟道
输出电容(Coss)
105pF
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