SFT1342-E
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SFT1342-E
- 商品编号
- C3275836
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
UniFET™ MOSFET基于平面条纹和DMOS技术。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。通过寿命控制，UniFET FRFET® MOSFET的体二极管反向恢复性能得到了增强。其trr小于100纳秒，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通平面MOSFET的trr超过200纳秒，反向dv/dt抗扰度为4.5V/ns。因此，在MOSFET体二极管性能至关重要的某些应用中，它可以省去额外的元件并提高系统可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
-低导通电阻-低栅极电荷-无铅且符合 RoHS 标准-高速开关-带 ESD 二极管保护的栅极
应用领域
- 不间断电源-交流-直流电源