2SK1283-AZ
N沟道,电流:2A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1283-AZ
- 商品编号
- C3275857
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且低温。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 极低的FOM（Rdson*Qg和Eoss）带来极低的损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备以及工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。