2SK1283-AZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且低温。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 极低的FOM（Rdson*Qg和Eoss）带来极低的损耗
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
应用领域
- 功率因数校正（PFC）级
- 硬开关脉宽调制（PWM）级
- 谐振开关级，例如用于电脑电源、适配器、液晶与等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）