MMDF7N02ZR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品特性
- 齐纳保护栅极提供静电放电保护
- 设计可承受 200 V 机器模型和 2000 V 人体模型静电放电
- 超低导通电阻 RDS(on) 可提高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动——可由逻辑 IC 驱动
- 微型 SO-8 表面贴装封装——节省电路板空间
- 二极管特性适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 规定了高温下的 IDSS
- 提供 SO-8 封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制