商品参数
参数完善中
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小尺寸SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 最适合逆变器应用。
- VEC2610集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻,从而可实现高密度贴装。
- 贴装高度0.75 mm。
- 1.8V驱动。
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
参数完善中
采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小尺寸SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。