VEC2610-TL-E

采用沟槽MOSFET技术的双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小尺寸SOT666表面贴装器件（SMD）塑料封装。

• 最适合逆变器应用。
• VEC2610集成了一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET,具有低导通电阻,从而可实现高密度贴装。
• 贴装高度0.75 mm。
• 1.8V驱动。

• 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路