2SK238-T1B-A
N沟道,电流:10mA,耐压:20V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK238-T1B-A
- 商品编号
- C3275838
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@10uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250fF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
G05P06L采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：-60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-5A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 120mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -4.5V时）：< 170mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器