2SK238-T1B-A
N沟道,电流:10mA,耐压:20V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK238-T1B-A
- 商品编号
- C3275838
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250fF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品概述
G05P06L采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可广泛应用于多种场景。
商品特性
- 漏源电压VDS：-60V
- 漏极电流ID（栅源电压VGS = -10V时）：-5A
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -10V时）：< 120mΩ
- 导通电阻RDS(ON)（栅源电压VGS = -4.5V时）：< 170mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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