FDC655N
商品参数
参数完善中
商品概述
这款 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺制造,该工艺经过特别设计,可最大程度降低导通电阻,同时保持出色的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
商品特性
- 6.3 A,30 V
- 当 VGS = 10 V 时,RDS(ON) = 0.027 Ω
- 当 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) = 0.035 Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷(典型值 9 nC)
- SuperSOT - 6 封装:占用空间小(比 SO - 8 小 72%);薄型(厚度 1mm);引脚与 TSOP - 6 兼容
应用领域
- 计算机
- 办公设备
- 通信设备
- 测试与测量设备
- 视听设备
- 家用电子电器
- 机床
- 个人电子设备
- 工业机器人
- 运输设备（汽车、火车、轮船等）
- 交通控制系统
- 防灾系统
- 防盗系统
- 安全设备
- 非专门用于生命支持的医疗设备