RJL60S5DPP-E0#T2
600V,20A,超结MOSFET
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RJL60S5DPP-E0#T2
- 商品编号
- C3275855
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 178mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF |
商品特性
- 最低导通电阻RDS(on)，2x2封装
- 针对高性能和功率密度进行优化
- 100%雪崩测试
- 2x2封装具有出色的热阻
- N沟道
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤