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2SK3569(STA4,X,S)
1个N沟道 耐压:600V 电流:10A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.54Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 8.5S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关稳压器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3569(STA4,X,S)
- 商品编号
- C396021
- 商品封装
- SC-67
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.54 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.5 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 100 \mu A(最大值)(VDS = 600 V)
- 增强型模式:V\textth = 2.0 至 4.0 V(V\textDS = 10 V,I\textD = 1 mA)
应用领域
- 一般电子应用(如计算机、个人设备、办公设备、测量设备、工业机器人和家用电子电器)
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