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TK750A60F,S4X(S
N沟道MOS（π-MOSIX）
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- 描述
- 特性：易于控制栅极开关。 低漏源导通电阻：RD(ON) = 0.62Ω（典型值）。 增强模式：VHA = 2 至 4V（VDS = 10V，ID = 1mA）。应用：开关电源
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK750A60F,S4X(S
- 商品编号
- C396043
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 栅极开关易于控制
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.62 Ω（典型值）
- 增强型：Vth = 2 至 4 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 开关电源