温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSM3J14T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@100uA | |
| 输入电容(Ciss) | 413pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 采用紧凑型封装，适用于高密度安装
- 低导通电阻：Ron = 145 mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V）
- Ron = 85 mΩ（最大值）（@VGS = -10 V）
- 高速开关