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TPCC8093,L1Q(M
1个N沟道 耐压:20V 电流:21A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPCC8093,L1Q(M
- 商品编号
- C396048
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.052克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@5V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率和最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 采用小型薄封装,占位面积小
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 4.5 , mΩ(典型值)(VGS = 4.5 , V)
- 低漏电流:IDSS = 10 \mu A(最大值)(VDS = 20 V)
- 增强型:Vth = 0.5 至 1.2 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 锂离子二次电池