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TPN6R303NC,LQ(S
1个N沟道 耐压:30V 电流:43A
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- 描述
- 特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）(VDS = 30V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN6R303NC,LQ(S
- 商品编号
- C396051
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 420pF |
商品特性
- 小型薄封装
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.2 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 30 V）
- 增强型：Vth = 1.3 至 2.3 V（VDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
应用领域
- 锂离子二次电池
- 电源管理开关